LED主題的論文

LED 芯片的製造過程可概分爲晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（WaferProbe）、構裝工序（Packaging）、測試工序（Initial Test andFinalTest）等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序爲前段（Front End）工序，而構裝工序、測試工序爲後段（BackEnd）工序。

1、晶圓處理工序 本工序的主要工作是在晶圓上製作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開關等），其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然後進行塗膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反覆步驟，最終在晶圓上完成數層電路及元件加工與製作。

2、晶圓針測工序 經過上道工序後，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，爲便於測試，提高效率，同一片晶圓上製作同一品種、規格的產品；但也可根據需要製作幾種不同品種、規格的產品。在用針測（Probe）儀對每個晶粒檢測其電氣特性，並將不合格的晶粒標上記號後，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則捨棄。

3、構裝工序 就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，並把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作爲與外界電路板連接之用，最後蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此纔算製成了一塊集成電路芯片（即我們在電腦裏可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。

4、測試工序 芯片製造的最後一道工序爲測試，其又可分爲一般測試和特殊測試，前者是將封裝後的芯片置於各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、執行速度、耐壓度等。經測試後的芯片，依其電氣特性劃分爲不同等級。而特殊測試則是根據客戶特殊需求的技術參數，從相近參數規格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須爲客戶設計專用芯片。經一般測試合格的產品貼上規格、型號及出廠日期等標識的`標籤並加以包裝後即可出廠。而未透過測試的芯片則視其達到的參數情況定作降級品或廢品。LED 芯片的製造工藝流程： 外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→幹法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→視窗圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。LED 芯片的製造工藝流程 其實外延片的生產製作過程是非常複雜的，在展完外延片後，下一步就開始對LED 外延片做電極（P 極，N極），接着就開始用激光機切割LED 外延片（以前切割LED外延片主要用鑽石刀），製造成芯片後，在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試。

1、主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準參數的晶圓片再繼續做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。

2、晶圓切割成芯片後，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30 倍數的顯微鏡下進行目測。